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| 产品名称： | NXTM-2B单晶P/N型号测试仪 |
| 产品型号： | NXTM-2B |
| 品牌： | |
| 产品数量： | |
| 产品单价： | 面议 |
| 日期: | 2018-03-12 |
NXTM-2B单晶P/N型号测试仪的详细资料
| 单晶P/N型号测试仪 型号：NXTM-2B |
货号：ZH8857 |
| 产品简介: 本仪器运用了第四代集成电路设计、生产。仪器采用热电法测量硅单晶型号，配置了可自动恒温的热探笔，并由液晶器件直接发显示N、P型。对于电阻率小于1000Ω.cm的硅片、块以准确地鉴定出导电型号。 适用范围 适合检测硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等圆柱晶体硅 适用于西门子法、硅烷法等生产多晶硅料的企业 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业 适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业 适用于科研、高等院校及需要量程测量电阻率的企业 产品特点 仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度提高 测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能 特的设计能消除测量引线和接触电阻产生的误差， 测量的和宽的量程范围 双数字表结构使测量，操作简便 具有的测试数据查询及打印功能 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分变化率等 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性提高 采用进口元器件，留有大的安系数，提高了测试仪的性和使用寿命 测量电流采用高度稳定的恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响 具有正测反测的功能，测试结果的准确性 具有抗强磁场和抗高频设备的性能 参数 测量范围 锗：近本征锗≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm 显示方式： 液晶直显 功 耗：30W 供电电源：AC 220V ±10% 50/60Hz. 推荐使用环境：温度：23±2℃ 相对温度：≤65% www.ghitest.com www.centrwin.com |
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